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編者按：《閎議》訪談節(jié)目由《中國科學(xué)院院刊》與中國互聯(lián)網(wǎng)新聞中心聯(lián)合出品，通過采訪兩院院士及專家學(xué)者，深度探討邁入“十四五”的中國社會(huì)在各領(lǐng)域的發(fā)展前路。以客觀、精準(zhǔn)的解讀，科學(xué)、前瞻的思考，為站在“兩個(gè)一百年”歷史交匯點(diǎn)上的中國發(fā)展破題解惑，為邁向第二個(gè)百年目標(biāo)貢獻(xiàn)智慧力量。

崇論閎議，尋策問道。

中國網(wǎng)/中國發(fā)展門戶網(wǎng)訊 碳化硅（SiC）晶體是一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在發(fā)光器件、電力電子器件、射頻微波器件制備等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。但其晶體生長極其困難，上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達(dá)國家掌握SiC晶體生長和加工技術(shù)。SiC晶體國產(chǎn)化，對避免我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”至關(guān)重要。中國科學(xué)院物理研究所碳化硅晶體生長和加工技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化團(tuán)隊(duì)（以下簡稱“團(tuán)隊(duì)”）自1999年以來，立足自主研發(fā)，從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究，突破了從生長設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長和加工等關(guān)鍵技術(shù)，形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線，實(shí)現(xiàn)了SiC晶體國產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)生了良好的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益，推動(dòng)了我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。團(tuán)隊(duì)因此獲得了中國科學(xué)院2020年度科技促進(jìn)發(fā)展獎(jiǎng)。針對第三代半導(dǎo)體核心材料碳化硅的發(fā)展和應(yīng)用，國際差距以及對促進(jìn)“雙碳”目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)起到的作用等熱點(diǎn)話題，中國科學(xué)院物理研究所先進(jìn)材料和結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室主任、團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人陳小龍研究員接受了《閎議》訪談節(jié)目的專訪。   

中國網(wǎng)：目前碳化硅在我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用情況如何？加快推進(jìn)其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程對于“雙碳”目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)將起到什么作用？   

陳小龍：碳化硅半導(dǎo)體現(xiàn)在差不多形成一個(gè)完整的產(chǎn)業(yè)鏈了，從晶體生長，也就是晶圓制備，到外延生長，到器件，到模塊，到應(yīng)用，現(xiàn)在國內(nèi)已經(jīng)初步建立起來了。

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，和第一代以硅為主、第二代以砷化鎵為主的半導(dǎo)體材料相比，它有很多的優(yōu)點(diǎn)。其中它的帶隙特別大，導(dǎo)熱特別好，耐擊穿場強(qiáng)也特別高，特別適合于做大功率半導(dǎo)體器件。比如說現(xiàn)在的電動(dòng)汽車，用碳化硅器件做逆變器、電控器件，甚至是車載充電樁，可以做得體積小，重量輕，對于提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程特別有好處，同時(shí)轉(zhuǎn)換效率高，比較節(jié)能。未來碳化硅器件的發(fā)展將向電壓等級更多、功率更高方向發(fā)展，應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

所有這些應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)力是節(jié)能環(huán)保，符合國家碳達(dá)峰、碳中和的總體戰(zhàn)略。 碳化硅材料，由于它的物理特性，功率器件在做頻率轉(zhuǎn)換的時(shí)候，開關(guān)特性好，降低能耗，比硅基器件有優(yōu)勢，尤其是在高電壓和高功率的應(yīng)用場合。從這個(gè)意義上講，將來會(huì)在越來越多的領(lǐng)域得到應(yīng)用，達(dá)到節(jié)能減排的目的。 另外一方面，碳化硅器件可以在一些溫度較高的場合下應(yīng)用，我們知道硅基器件在很多場合下都需要冷卻，浪費(fèi)能源，而碳化硅在很多場合可以直接用，不需要冷卻，起到節(jié)能減排的作用。  

中國網(wǎng)：團(tuán)隊(duì)在碳化硅晶體生長和加工技術(shù)研發(fā)過程中，實(shí)現(xiàn)核心關(guān)鍵技術(shù)突破的最大難點(diǎn)是什么？   

陳小龍：從上個(gè)世紀(jì)50年代，人們就知道碳化硅這個(gè)材料的半導(dǎo)體特性很好。但是在材料制備方面一直沒有獲得突破，硅獲得了突破，因此硅材料器件就迅速發(fā)展，一直到今天，硅仍然是微電子領(lǐng)域里最重要的材料。碳化硅一直到上個(gè)世紀(jì)90年代才有所突破，這個(gè)突破主要是以美國科銳公司為代表做的工作。

中科院物理所在1997年就開始部署關(guān)于寬禁帶半導(dǎo)體的工作，團(tuán)隊(duì)從1999年開始這方面的研究，當(dāng)時(shí)的情況是在“一窮二白”的條件下，沒有任何技術(shù)，也沒有設(shè)備，一切從零開始，搭建設(shè)備，做一些非常基礎(chǔ)性的實(shí)驗(yàn)，摸清它基本的生長規(guī)律，這個(gè)（過程）就用了差不多6年的時(shí)間。到2006年，我們能夠做出2英寸的晶體來了，在國內(nèi)率先開始產(chǎn)業(yè)化的工作。再接下來就是與北京天科合達(dá)通力合作把尺寸從小到大，2英寸、4英寸、6英寸，這樣來發(fā)展，因?yàn)榘雽?dǎo)體包括硅就是這樣發(fā)展起來的，尺寸越大，晶圓占整個(gè)器件的成本會(huì)降低。

這里面我們覺得最大的困難就是，首先在基礎(chǔ)研究方面，它的一些基本規(guī)律，還是很難去探索，因?yàn)檫@個(gè)材料在非常高的溫度下，在2300度-2500度進(jìn)行生長的，難于直接觀察晶體生長情況，這是研究上的難點(diǎn)。另外整個(gè)生長過程，涉及到好多問題，包括相變的問題，各個(gè)晶型相互轉(zhuǎn)換的問題，氣氛的控制問題，在生長中怎么樣避免缺陷，尤其一些微觀缺陷的形成等等問題。

進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段的最大問題，就是怎么樣提高晶體的良率，也就是長出來之后，它的重復(fù)性和穩(wěn)定性一定要高，這個(gè)和實(shí)驗(yàn)室研究就不同了。產(chǎn)業(yè)化是一個(gè)生產(chǎn)的行為，要求每次生長高度一致，最重要的還是要降低成本，能夠滿足下游客戶的需求。如果質(zhì)量在不同的批次中有波動(dòng)，下游客戶是不能接受的。

在基礎(chǔ)研究和生產(chǎn)中，都有各自非常難解決的困難，我們團(tuán)隊(duì)也是經(jīng)過了20多年，基本上圍繞著這兩個(gè)問題，到現(xiàn)在也是一直在往前走。基礎(chǔ)問題還涉及到進(jìn)一步增加尺寸，6英寸也不是一個(gè)截止的尺寸，還有8英寸，每增加尺寸都會(huì)帶來新的問題，這是基礎(chǔ)研究的問題。生產(chǎn)中也是同樣的問題，尺寸增長也會(huì)帶來新的問題，無論是生長還是后續(xù)加工，都會(huì)有新問題出現(xiàn)，都需要不斷去解決。這就是它在研制和產(chǎn)業(yè)化中主要的問題和難點(diǎn)。      

中國網(wǎng)：目前團(tuán)隊(duì)在促進(jìn)碳化硅產(chǎn)業(yè)化發(fā)展方面，有著怎樣的布局？   

陳小龍：2006年，我們是全國最早開始碳化硅產(chǎn)業(yè)化工作的，初期碰到了很多困難，物理所和投資方，合作成立一家公司，叫北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司，這個(gè)公司2006年成立到現(xiàn)在已經(jīng)15年了，從小到大，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到比較大的規(guī)模了，現(xiàn)在公司已經(jīng)有大概七八百人的規(guī)模，晶體生長爐有500多臺，包括相應(yīng)的加工線。主要的生產(chǎn)基地在北京，總部也在北京。2020年的產(chǎn)值是2.3億元人民幣左右，今年還會(huì)繼續(xù)增長，不出意外會(huì)超過3億元人民幣的產(chǎn)值。這也是趕上了碳化硅產(chǎn)業(yè)處于爆發(fā)開始的階段，因此我預(yù)計(jì)這個(gè)公司會(huì)持續(xù)不斷地快速發(fā)展。這個(gè)公司一開始就跟物理所密切結(jié)合，共同建立了研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，在此期間物理所培養(yǎng)了很多學(xué)生進(jìn)入到天科合達(dá)，整個(gè)的技術(shù)研發(fā)能力還是很強(qiáng)的。這也是一個(gè)很好的產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的例子。

中國網(wǎng)：目前團(tuán)隊(duì)研發(fā)過程中在自主知識產(chǎn)權(quán)方面，取得了哪些成果？   

陳小龍：這個(gè)項(xiàng)目我們從一開始做起，早期是物理所，除了發(fā)表文章之外，我們很重視申請專利，較早地申請了一些關(guān)鍵專利，保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)。成立公司以后，主要是物理所和公司一起，研發(fā)申請了一批專利。總計(jì)有40多項(xiàng)專利，其中6項(xiàng)是國際專利，除此之外我們還擬定了3個(gè)國家標(biāo)準(zhǔn)。從2006年開始，我們是全國最早把碳化硅進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化的，因此我們有機(jī)會(huì)制定一些國家標(biāo)準(zhǔn)。再就是一些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)目也有七、八項(xiàng)。接下來這個(gè)工作應(yīng)該是貫穿在整個(gè)研究和生產(chǎn)當(dāng)中的，今后還會(huì)不斷去申請專利、撰寫標(biāo)準(zhǔn)等等。

這些專利涉及到整個(gè)碳化硅晶體生長，包括后續(xù)加工，幾乎每個(gè)工藝環(huán)節(jié)都已經(jīng)包含。比如設(shè)備有設(shè)備專利，我們的設(shè)備有自主知識產(chǎn)權(quán)的設(shè)備專利，有晶體生長方法的專利，包括后續(xù)加工的專利，還有我們的產(chǎn)品專利，自主知識產(chǎn)權(quán)覆蓋到碳化硅晶體的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，都是有布局的。

中國網(wǎng)：您認(rèn)為當(dāng)前我國寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展的機(jī)遇和挑戰(zhàn)是什么？   

陳小龍：按照半導(dǎo)體晶圓發(fā)展的規(guī)律，將來尺寸會(huì)越做越大，它的驅(qū)動(dòng)力是使得晶圓材料在器件整個(gè)成本中占比降低。目前碳化硅材料成本在器件中占比非常高，達(dá)到70%，而硅不到10%。我們目前正在做的研發(fā)，是做到8英寸，另外一個(gè)工作是千方百計(jì)提高晶體良率，提高良率也是降低成本的一種重要途徑。

團(tuán)隊(duì)除了進(jìn)行碳化硅方面的研究，還做一些其他寬禁帶半導(dǎo)體的研究，比如說氮化鋁，它是另外一種寬禁帶半導(dǎo)體，這個(gè)半導(dǎo)體的帶隙更寬一些，它的發(fā)展沒有碳化硅那么快，現(xiàn)在還沒有大規(guī)模地應(yīng)用，但是未來的前景還是不錯(cuò)的。

從國家范圍來看，現(xiàn)在國內(nèi)也有不少做晶圓的企業(yè)也已經(jīng)起來了，新增的企業(yè)很多，現(xiàn)在至少有10家以上，今后還會(huì)變多。現(xiàn)在面臨的一個(gè)問題是，我們的質(zhì)量還是要進(jìn)一步提高，尺寸也需要進(jìn)一步加大。

另外我們跟國外最先進(jìn)水平還有一定差距，雖然不像硅的差距那么大，但是還是有差距，國家應(yīng)該在各方面大力進(jìn)行支持，使我們盡快趕上國際最先進(jìn)的水平，使我們在碳化硅整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中，所有的材料都是我們國家自己生產(chǎn)的，不要（依賴）進(jìn)口。

中國網(wǎng)：現(xiàn)在我國寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究發(fā)展水平國際差距有多大？要縮小差距，需要做哪些努力？  

陳小龍：整個(gè)碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體，和國際上最先進(jìn)的水平還是有些差距的，在晶圓方面應(yīng)該有2-3年的差距，外延方面，研究本身差距不大，但是產(chǎn)業(yè)化方面會(huì)有一些差距，良率不如人家高。在器件方面的差距稍稍大一點(diǎn)，有些有3-4年的差距，因?yàn)樽钕冗M(jìn)的3300伏的器件，國外已經(jīng)有進(jìn)入市場的了，目前國內(nèi)1200伏的MOS器件，有一兩個(gè)企業(yè)剛剛開始成熟，能夠進(jìn)入市場了。   

為了加快國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我覺得國家應(yīng)該出臺一些政策，比如目前最大的用量是車企，電動(dòng)汽車發(fā)展非常快，去年全國產(chǎn)量也就是100多萬輛，到今年3季度據(jù)統(tǒng)計(jì)已經(jīng)超過了200萬輛，2021年全年有望達(dá)到300萬輛，發(fā)展是非常迅猛的。現(xiàn)在很多電動(dòng)汽車是采用了碳化硅器件的，但是大都采用了國外的器件。國家可以出臺一些政策，鼓勵(lì)我們的車廠用國產(chǎn)的器件。比如說在稅收上給予一些優(yōu)惠等等措施，這樣可以帶動(dòng)國內(nèi)碳化硅器件廠商的發(fā)展，否則的話，還是會(huì)被國外碳化硅器件廠商占據(jù)中國的市場，因?yàn)橹袊氖袌鲈谌蛘嫉?0%以上，非常巨大。

中國網(wǎng)：作為新材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍科技工作者，面對“十四五”期間我國經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的新形勢、新挑戰(zhàn)、新任務(wù)，您對碳化硅產(chǎn)業(yè)化發(fā)展有什么建議？   

陳小龍：回顧整個(gè)產(chǎn)業(yè)化走過的15年路程，首先企業(yè)能夠成長起來，必須感謝國家各個(gè)部門的大力支持，因?yàn)樵谠缙冢蓟柘掠萎a(chǎn)業(yè)沒有牽引，主要是受到包括國家自然科學(xué)基金委、科技部、北京市、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)等等的資金方面的大力支持，應(yīng)該說國家對科研人員進(jìn)行科技成果轉(zhuǎn)化，也是一直不斷出臺新的政策進(jìn)行鼓勵(lì)，作為一名基層科研人員，我的體會(huì)是在轉(zhuǎn)化中，國家政策不錯(cuò)，一直在鼓勵(lì)。做基礎(chǔ)研究是非常重要的，只有掌握了更多的基本規(guī)律，才能把產(chǎn)品做得更好，對產(chǎn)業(yè)化的支撐作用是非常大的。

在產(chǎn)業(yè)化過程中，我覺得有一點(diǎn)可能今后需要注意一下，國家政策不錯(cuò)，對一個(gè)研究機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)成果轉(zhuǎn)化的同志，還要進(jìn)一步提高他們的積極性，單位里負(fù)責(zé)產(chǎn)業(yè)化工作的同志們，也有他們的擔(dān)心，怕政策把握不準(zhǔn)，可能會(huì)涉及到國有資產(chǎn)流失等等問題。一個(gè)好的做法是，就是給這些負(fù)責(zé)產(chǎn)業(yè)化的同志們，給獎(jiǎng)金也好，給股權(quán)也好，給他們大的激勵(lì)，讓他們有積極性。現(xiàn)在有的單位已經(jīng)開始實(shí)施。另外一方面，科研工作者和管理者都需要加強(qiáng)自身對政策的學(xué)習(xí)，能夠在產(chǎn)業(yè)化過程中把握住使得國有資產(chǎn)不會(huì)流失，單位的利益要考慮到，個(gè)人的利益也考慮到，把這三者的關(guān)系理順好。   

（本期策劃：楊柳春、王振紅；編審：楊柳春、王振紅、王虔；編輯：王振紅、楊柳春、武一男；攝像/后期：朱法帥。出品：《中國科學(xué)院院刊》、中國互聯(lián)網(wǎng)新聞中心；制作：中國網(wǎng)、中國發(fā)展門戶網(wǎng)）

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